静态随机存取存储器（SRAM）是一种利用双稳态电路来存储数据的半导体存储器。与动态随机存取存储器（DRAM）相比，SRAM不需要定期刷新电荷，因此具有更快的数据访问速度和更高的能效。SRAM广泛应用于高速缓存（Cache）、计算机内存和各种电子设备中。
SRAM的核心是六晶体管单元，每个单元由两个交叉耦合的反相器组成，这使得它能够稳定地保持两种状态之一：高电平或低电平。这种设计确保了即使在电源关闭后，SRAM仍能保持其存储的数据，除非主动清除。SRAM的读写操作通过控制晶体管的开关实现，这些晶体管连接到存储单元和外部电路之间。
尽管SRAM具有快速响应和低功耗的优点，但由于其成本较高且集成度较低，通常用于对性能要求极高的场合。随着技术的进步，研究者们正致力于开发新的材料和技术以提高SRAM的密度和降低生产成本。